# Helios G4 : retraitement et fourniture d’une microscopie électronique à balayage (SEM) à ultra haute résolution, pour une large variété de composants à semi-conducteurs
# Localisation de défauts en technologie 14 nm et inférieures, retraitement en technologie en-dessous de 7 nm
# Plasma FIB et chimie Dx propriétaire assurant l’exposition des couches métalliques, permettant l’isolation des dafauts électriques et l’analyse avec les nanosondes du constructeur
# Fraisage 10 à 20 fois plus rapide que les solutions FIB traditionnelles (Ga+), arrêt automatique du fraisage dès que la couche métallique ou de via recherchée est exposée
# flexProber mis en œuvre pour l’isolation rapide des défauts électriques dans le cadre de l’identification et la localisation des défauts au niveau des interconnexions et des transistors dans les wafers
# Nouvelle colonne de SEM conçue pour les applications de sondage (probing), avec une amélioration d’un facteur 2 en termes de résolution comparé au nProber II
# Thermis S fourniture d’une imagerie à résolution atomique et d’une analyse chimique à haut débit, pour les technologies inférieurs à 20 nm
# Colonne 80-200 kV, alignements automatisés, source XFAG et spectromètre à rayons X DualX
Thermo Fisher Scientific France
